山东信创信息技术有限公司

2017-10-25

近日，相关媒体消息称，上海微电子正极力研发28纳米浸润式DUV光刻机，预计在2023年底将交付国产第一台SSA/800-10W光刻机设备。此前，国家知识产权局公布了一项华为新的专利。反射镜、光刻设备及其控制方法在极紫外光刻及核心技术上取得突破性进展。

4月，哈工大宣布实现了“电能转化等离子体线路”,实现了DPP-EUV光源。

7月23日起，日本针对尖端半导体制造设备出口的限制措施正式生效。共有6大类23种设备被纳入出口限制，覆盖了芯片光刻、刻蚀、检测各个环节。

7月14日，彭博社消息，荷兰光刻机巨头阿斯麦公司（ASML）与中国客户的合作将面临美荷更严格的管制。新规要求从9月1日开始。

7月5日，由日本政府支持的日本产业革新投资机构（JIC）同意以约9093亿日元（折合约64亿美元）收购全球市场份额第一的日本光刻胶巨头JSR。

据中国的专利记录显示，清华大学（中国的“麻省理工学院”）、南京大学、中国科学院以及总部位于安徽合肥的Specreation公司，都在过去一年内申请了EUV光源技术的专利。

据海关数据，截至2023年5月，我国已成功减少了455亿颗芯片的进口数量。基于这一规模，预计今年我国将进一步减少超过1000亿颗芯片的进口量。

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